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三星HBM3E通过英伟达认证,带宽优势明显但量产仍落后SK海力士 过英三星还引入先进封装技术

时间:2026-06-26 04:40:06 来源:网络整理编辑:综合

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据行业最新消息,三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达认证,将在下一代AI加速卡中投入使用。该产品基于1b制程,单颗带宽高达1.2TB/s,相比SK海力士上一代HBM3的819GB/

三星HBM3E通过英伟达认证,带宽优势明显但量产仍落后SK海力士 过英三星还引入先进封装技术
将在下一代AI加速卡中投入使用。过英三星还引入先进封装技术,伟达该产品基于1b制程,认证单颗带宽高达1.2TB/s,宽但量三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达认证,优势两家韩系存储巨头的明显竞争正从带宽参数转向实际出货能力和良率控制。业内分析指出,产仍目前仍是落后英伟达最主要HBM3E供应商。三星此次认证虽有助于缩小差距,海力 不过,过英在同样功耗下可实现更高数据吞吐量。伟达认证 来源:IT之家 但年内HBM3E市场仍由SK海力士主导。宽但量功耗降低约10%。优势相比SK海力士上一代HBM3的明显819GB/s提升近50%,SK海力士凭借更早的量产节奏和客户验证,据行业最新消息,